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新闻中心
SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
发布时间：2021-10-16        浏览次数：10        返回列表
 碳化硅MOSFET
产品详情
 
 
 

 

碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

（V）

 ID

(A)

 RDS(on)

(mΩ)

Qg

(nC)

 

Eon

(µJ)

 

Eoff

(µJ)

 Package Name

 
B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 样品申请
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

 TO-247-3

样品申请
B1M080120HK 1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 样品申请
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

 TO-247-3

样品申请
B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 样品申请
碳化硅肖特基二极管
产品详情
 
 
 

 

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。

 

肖特基.png

 

产品优势

 

 

未标题-1-01.png 未标题-1-02.png 未标题-1-03.png 未标题-1-04.png
零反向恢复 抗浪涌电流能力强 高温反向漏电低 雪崩耐量高

 

产品列表


Product DataSheet VRRM
（V）		 IF
(A)		 IFSM
(A)		 VF
(V)		 Ptot
(W)		 QC
(nC)		 Package Name  
B1D02065E 333.png 650 2 16 1.4 43 6.8 TO-252-2 样品申请
B1D02065K 333.png 650 2 16 1.4 39 6.8 TO-220-2 样品申请
B1D04065E 333.png 650 4 30 1.4 60 12 TO-252-2 样品申请
B1D04065F 333.png 650 4 30 1.4 68 12 TO-263-2 样品申请
B1D04065K 333.png 650 4 30 1.4 72 12 TO-220-2 样品申请
B1D04065KF 333.png 650 4 30 1.4 30 12 TO-220F-2 样品申请
B2D04065V ‍           333.png 650 4 32 1.35 25
 12 SMBF 样品申请
B1D06065E 333.png 650 6 45 1.43 75 17 TO-252-2 样品申请
B1D06065F 333.png 650 6 45 1.43 89 17 TO-263-2 样品申请
B1D06065K 333.png 650 6 45 1.43 98 17 TO-220-2 样品申请
B1D06065KS 333.png 650 6 45 1.44 70 17 TO-220-isolated 样品申请
B2D06065Q - 650 6 45 1.33 82 17 DFN8*8 样品申请
B1D08065E 333.png 650 8 60 1.44 109 24 TO-252-2 样品申请
B1D08065F 333.png 650 8 60 1.44 112 24 TO-263-2 样品申请
B1D08065K 333.png 650 8 60 1.44 129 24 TO-220-2 样品申请
B1D08065KF - 650 8 - - - - TO-220F-2 样品申请
B1D08065KS - 650 8 - - - - TO-220-isolated 样品申请
B1D10065E

333.png

 650 10 75 1.43 117 29 TO-252-2 样品申请
B1D10065F 333.png 650 10 75 1.43 134 29 TO-263-2 样品申请
B1D10065H 333.png 650 10 75 1.43 158 29 TO-247-2 样品申请
B1D10065K 333.png 650 10 75 1.43 128 29 TO-220-2 样品申请
B1D10065KF 333.png 650 10 75 1.43 34 29 TO-220F-2 样品申请
B1D10065KS 333.png 650 10 75 1.43 89 29 TO-220-isolated 样品申请
B2D10065Q 333.png 650 10 80 1.29 126 29 DFN8*8 样品申请
B1D12065K 333.png 650 12 90 1.42 121 38 TO-220-2 样品申请
B1D15065K 333.png 650 15 112 1.42 157 46 TO-220-2 样品申请
B1D16065HC 333.png 650 8*/16** 60* 1.44 168* 24 TO-247-3 样品申请
B1D20065HC 333.png 650 10*/20** 75* 1.45 157* 29 TO-247-3 样品申请
B1D20065K 333.png 650 20 150 1.42 254 64 TO-252-2 样品申请
B1D30065HC - 650 30 - - - - TO-247-3 样品申请
B1D40065H - 650 40 310 1.42 416 130 TO-247-2 样品申请
B1D40065HC 333.png 650 20*/40** 150* 1.42 225* 64 TO-247-3 样品申请
B1D02120E 333.png 1200 2 16 1.42 80 12 TO-252-2 样品申请
B1D02120K 333.png 1200 2 16 1.42 77 12 TO-220-2 样品申请
B1D03120E - 1200 3 - - - - TO-252-2 样品申请
B1D05120E - 1200 5 - - - - TO-252-2 样品申请
B1D05120K - 1200 5 - - - - TO-220-2 样品申请
B1D10120E 333.png 1200 10 75 1.48 143 52 TO-252-2 样品申请
B1D10120H 333.png 1200 10 75 1.48 202 52 TO-247-2 样品申请
B1D10120HC 333.png 1200 5*/10** 60* 1.40* 208* 32* TO-247-3 样品申请
B1D10120K 333.png 1200 10 75 1.48 189 52 TO-220-2 样品申请
B1D16120HC - 1200 8*/16* - - - - TO-247-3 样品申请
B1D20120H 333.png 1200 20 150 1.46 269 101 TO-247-2 样品申请
B1D20120HC 333.png 1200 10*/20** 75* 1.5 202* 52 TO-247-3 样品申请
B1D30120HC - 1200 15*/30** 135* 1.41 286* 83 TO-247-3 样品申请
B1D40120HC 333.png 1200 20*/40** 150* 1.46 269* 101

TO-247-3

 样品申请
裸片和晶圆服务
产品详情
 
 
 

 

基于国际先进的碳化硅外延技术，基本半导体自主研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅 MOSFET 芯片产品系列。目前已开发出 650V 和 1200V 碳化硅肖特基二极管及 1200V 碳化硅 MOSFET 裸芯片和晶圆。


 

initpintu_副本.jpg

 

碳化硅肖特基二极管

Product VRRM

（V）

IF

(A)
BC1D02065 650 2
BC1D04065
 650 4
BC1D06065 650 6
BC1D08065 650 8
BC1D10065 650 10
BC1D12065 650 12
BC1D15065 650 15
BC1D20065 650 20

BC1D02120

 1200 2
BC1D05120 1200 5
BC1D10120 1200 10
BC1D15120 1200
 15
BC1D20120 1200 20
BC1D50120 1200 50


碳化硅MOSFET(1200V)

Product

 

VDS

（V）

 

RDS(on)

(mΩ)

BC1M160120

1200

160
BC1M080120

1200

80
BC1M032120 1200 32
BC1M018120 1200 18